据介绍，该项目研究内容涵盖深紫外LED先进外延技术、芯片制造技术、封装技术和可靠性评价，力求实现高性能大功率深紫外LED外延芯片量产，同时电光转化效率、光功率、寿命等主要性能指标突破国际瓶颈。

　　项目牵头单位中科潞安以自主创新技术立身，围绕第三代半导体氮化物深紫外光电材料，突破了一系列产业化关键技术。（郜  蓉）