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韩国三星电子开始量产3纳米芯片

  韩国三星电子公司6月30日宣布,已开始量产3纳米芯片。

  3纳米芯片基于全环绕栅级(Gate-All-Around)技术。三星电子说,相对于其5纳米芯片,初代3纳米芯片可减少45%的能耗,提升23%的性能并减少16%的面积。全环绕栅级技术可最终减少多达50%的能耗,提升30%的性能并减少35%的面积。

  全球最大芯片代工企业中国台湾积体电路制造股份有限公司(台积电)说,将于今年下半年开始量产3纳米芯片。

  作为全球最大存储芯片制造商,三星电子说,其2纳米芯片仍在研发初期,计划2025年量产。

  HMC投资和证券公司技术研究部负责人格雷格·卢预期,三星电子晶圆代工业务今年将同比增加大约40%,“三星电子接到的晶圆代工订单数量超过其生产能力。现在的问题是,这家公司能否通过长期计划和充足投资,良好、迅速满足需求”。

  三星电子公司上月说,今后5年间将在半导体和生物技术领域投资450万亿韩元(约合2.32万亿元人民币)。这一投资规模比过去5年增加120万亿韩元(6192亿元人民币),增幅达36%。据新华社电

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