一个芯片可能包含数十亿个晶体管，芯片性能的提升基于晶体管的不断小型化。近年来硅晶体管的小型化速度已放缓，因为到达一定微小尺度后，晶体管功能会受到量子力学某些效应的干扰，从而影响正常运行。

　　这项研究发表在美国《先进功能材料》杂志上。在该研究中，以色列理工学院的研究人员在独特的实验室系统中合成一种氧化物材料，这一新材料原子间的距离能以皮米即千分之一纳米的精度准确控制，而硅材料两个原子间的距离约为四分之一纳米。

　　通过这些发生在千分之一纳米范围内的微小变化，研究人员正在开发新的方法来控制材料在导电和绝缘状态之间变化，使其具有半导体的特性。研究人员还用瑞士日内瓦的粒子加速器观察这些微小变化如何影响新材料中电子的排列，以进一步推进未来晶体管的研发。